研究方向：

集成电路先进光刻工艺及光刻相关设备、光刻材料、光刻相关算法软件

教育背景：

美国耶鲁大学物理学博士，2000年；

复旦大学物理学学士，1993年

工作学术经历：

2000年01月-2004年02月在美国IBM微电子从事0.11 um DRAM和65 nm逻辑光刻技术研发工作，担任主任工程师；

2004年03月-2007年08月在上海华虹NEC电子有限公司技术研发部受聘为主任，负责0.18 um和0.13 um光刻技术研发；

2007年08月-2010年08月在阿斯麦光刻设备制造（中国）有限公司受聘为设备应用部部门经理，负责中国大陆193 nm和193 nm浸没式光刻设备应用技术支持；

2010年09月-2016年05月受聘于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，在技术研发中心担任光刻技术研发部门助理总监，负责28 nm逻辑技术光刻技术研发；

2016年06月-2018年04月受聘于中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司，担任工艺技术处负责图形技术研发的总监，负责14 nm图形技术研发，包括光刻、刻蚀、测量、和OPC；

2018年07月-2021年03月加入上海集成电路研发中心，担任新型器件的材料实验室副主任，负责5 nm逻辑工艺技术预研；

2021年4月-至今加入合乐HL8注册登录。

获奖或荣誉：

2006年11月，以第6完成人，在0.18 mm逻辑CMOS工艺平台开发项目里获得中国电子信息产业集团公司科技进步二等奖；

2017年底获得2018年度上海市优秀学术/技术带头人称号，并以负显影光刻成套工艺技术为课题，获得资助。

代表性成果：

1.新方法完成科技部14 nm光刻工艺研发。

2.光刻工艺发展的规律和世界上首创的光刻工艺工业标准。

3.伍强等编著《衍射极限附近的光刻工艺》一书，1027千字，清华大学出版社，2020年2月第一版。

4.我国（包括台湾省）首部极紫外（EUV）光刻工艺仿真计算软件。

5.世界首创或者先进的极紫外光刻工艺缺陷预测软件算法。

6.我国（包括台湾省）193 nm浸没式光刻胶0的突破。

7.世界首创物理模型辅助光刻胶配方研发的新方法。

8.世界上已知的第一个解析的193 nm浸没式负显影（NTD）光刻胶物理模型。

9.整个21年多的工作期间，共获专利授权83项（一作51项），包括38项（一作28项）美国专利；论文67篇（一作20篇）。