张卫教授课题组在半导体存储技术研究上最近又获新成果，国际著名期刊《IEEE Electron Device Letters》最新一期发表了该课题组的论文Atomic-Layer-Deposited HfLaO-Based Resistive Switching Memories With Superior Performance ( IEEE Electron Device Letters, 31(11), pp.1296-1298, 2010)。论文报道的器件具有稳定的阻变性能、低操作电压、与先进CMOS工艺完全兼容、极低功耗、超快开关速度和高密度多值存储等等优异性能。

该项工作用原子层淀积(ALD)技术在金属衬底上生长了纳米级HfLaO薄膜，并原位掺杂了游离态的氧离子，增强了器件的稳定性，大大提升了阻变存储器件的存储性能。论文结果得到了评审人员的一致赞赏，称其是阻变存储研究领域一项出色的具有高应用价值的研究工作。