微电子领域国际顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》最新一期发表了张卫教授课题组在半导体存储器研究上的研究成果(Lin Chen, Hong-Yan Gou, Qing-Qing Sun, Peng Zhou, Hong-Liang Lu, Peng-Fei Wang, Shi-Jin Ding, and David Wei Zhang，Enhancement of Resistive Switching Characteristics in Al2O3-Based RRAM With Embedded Ruthenium Nanocrystals， IEEE EDL Vol.32, no.6 p.794-796, 2011)。该论文报道的器件具有稳定的阻变性能、低操作电压、与未来的铜互连工艺具有良好的材料兼容性和工艺兼容性。

该项研究在原子层淀积的Al2O3介质中用PVD方法嵌入了Ru纳米晶，所获得的Al2O3 RRAM的高低阻值窗口有3个数量级的提升。由标准方差与均值的比值定义的相对振动系数，对于高阻值分布来说从75.7%降低到12.9%。这显示了Ru纳米晶的嵌入对提升器件的稳定性起到了明显效果。